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荧光物质使用,在第二次世界大战期间首次制造出高纯氧化铍陶瓷。1946年了解到氧化铍具有极高的导热系数。并且当时主要用在原子核装置中。直到50年代中期,氧化铍在电子学、测量仪器、通信和航天技术中出现应用。
氧化铍的熔化温度范围为2530℃~2570℃,其理论密度为3.02g/BeO作为绝缘材料始于1928年,不过直到1930年为止,BeO主要是混以其他材料作为3,在真空中可在1800℃下长期使用,在惰性气体中可在2000℃下使用,在氧化气氛中1800℃才挥发。氧化铍陶瓷的最突出性能是导热系数大,与金属铝相近,是氧化铝6~10倍,是一种具有独特的电的、热的和机械性能的介质材料,没有其他任何材料显示出这样全面的综合性能。氧化铍与其他绝缘材料性能对比列于表1。
氧化铍陶瓷因其具有高导热系数、高熔度、强度、高绝缘、低电介常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点,在微波技术、电真空技术、核技术、微电子与光电子技术领域受到重视和应用,尤其是在大功率半导体器件、大功率集成电路、大功率微波真空器件及核反应堆中。

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